紫外光源：曝光系統最核心
常見光源分為:
紫外光（UV），g線：436nm;i線：365nm
深紫外光（DUV）,KrF 準分子激光：248 nm, ArF 準分子激光：193 nm
極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
對光源系統的要求
a.有適當的波長。波長越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高，因為衍射現象會更嚴重。]
b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短；
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。
對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和F2準分子激光（157 nm）等。
曝光系統的功能主要有：平滑衍射效應、實現均勻照明、濾光和冷光處理、實現強光照明和光強調節等。
標簽: 紫外光源 曝光系統 光刻機
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