勻膠旋涂技術(shù)（spin coating）已在許多領(lǐng)域取得廣泛應(yīng)用。

集成電路：在半導(dǎo)體，集成電路的光刻工藝中，將光刻膠涂覆在硅片，聚二甲基硅氧烷 （PDMS）等表面。

金屬表面處理:在防腐蝕工程方面，將具有抗腐蝕性，疏水性等功能性有機(jī)物戒顆粒物 均勻的涂覆在需要被保護(hù)的材料表面等。

可彎曲平板：目前，隨著超薄薄膜旋涂技術(shù)的成熟，未來(lái)很有可能可以生產(chǎn)出柔性的 可穿戴的電子設(shè)備，電子紙等高技術(shù)產(chǎn)品。

總體來(lái)說(shuō)勻膠機(jī)的運(yùn)行可以按基片旋轉(zhuǎn)速度及膠質(zhì)的變化，分為 4 個(gè)階段：滴膠，加速旋轉(zhuǎn)，勻速旋轉(zhuǎn)以及去邊，其中第3階段勻速旋轉(zhuǎn)階段是膠質(zhì)涂層厚度和均勻性控制的重要階段。

1.滴膠

圖 1 滴膠-在滴膠前，膠質(zhì)需經(jīng)過(guò)亞微米級(jí)別的過(guò)濾處理，否則薄膜有可能形成 彗星圖，星狀圖，戒產(chǎn)生氣泡。

滴膠階段是將膠質(zhì)溶劑沉積在基片上中心位置的過(guò)程。可以手動(dòng)滴加，戒用配備的自動(dòng)滴膠器滴加。一般而言，自動(dòng)滴膠方式由于是自動(dòng)機(jī)械化操作，最終 薄膜的厚度，均勻性，及可重復(fù)性都很好，并且也可以減少易揮發(fā)的毒性氣體 不身體接觸。而手動(dòng)滴膠是人工操作，適合要求不高的薄膜制備。

滴膠過(guò)程可采用靜態(tài)滴膠或動(dòng)態(tài)滴膠兩種方式，靜態(tài)滴膠是在基片旋轉(zhuǎn)之前就將膠質(zhì)滴加沉積在基片中心，動(dòng)態(tài)滴膠則是基片一邊以一定的速度旋轉(zhuǎn)（一般是500RPM），一邊滴膠，如圖 1 所示。如果膠質(zhì)或基片是疏水性的，可以選擇動(dòng)態(tài)滴膠法，另外動(dòng)態(tài)滴膠法所需的滴膠量也可以略少。

2.加速旋轉(zhuǎn)

圖2 加速旋轉(zhuǎn)

有些膠質(zhì)中的溶劑揮發(fā)性很強(qiáng)，如 果基片沒(méi)有在短時(shí)間內(nèi)穩(wěn)定快速的 加速到設(shè)定的速度，膠質(zhì)中的溶劑 就會(huì)快速揮發(fā)，從而導(dǎo)致膠質(zhì)的粘性迅速增強(qiáng)，從而影響對(duì)涂層厚度的控制。

加速旋轉(zhuǎn)階段中基片以一定的加速度旋轉(zhuǎn)，膠質(zhì)溶劑開始向基片邊緣擴(kuò)散，會(huì)有部分膠質(zhì)開始被甩出基片，如圖 2 所示。在加速初始階段，膠質(zhì)是以一定的高度堆積在基片表面，膠質(zhì)的底部不基片表面粘在一起，并一起旋轉(zhuǎn)。而膠質(zhì)的上層由于慣性作用，其轉(zhuǎn)速無(wú)法不基片同速，因此膠質(zhì)形成螺旋狀。隨著膠質(zhì)在離心力作用下持續(xù)向基片邊緣擴(kuò)散，螺旋狀逐漸消失，膠質(zhì)變薄為涂層，并覆蓋基片表面，涂層不基片旋轉(zhuǎn)速度完全同步。

在基片的加速旋轉(zhuǎn)階段，旋轉(zhuǎn)速度高精度的控制，以及旋轉(zhuǎn)時(shí)間的準(zhǔn)時(shí)設(shè)置非常重要。其實(shí)，無(wú)論膠質(zhì)具有怎樣的性質(zhì)，勻膠機(jī)都需具備高精度，穩(wěn)定的馬達(dá)旋轉(zhuǎn)速度控制系統(tǒng)，這樣才可以制作厚度均勻可控的薄膜。

3.勻速旋轉(zhuǎn)、去邊

圖 3 勻速旋轉(zhuǎn)

在勻速旋轉(zhuǎn)階段中，膠質(zhì)的粘性力和揮發(fā)作用是影響薄膜厚度不均勻性的 重要因素。

膠質(zhì)溶劑在加速旋轉(zhuǎn)至設(shè)定速度時(shí)，已經(jīng)形成一定厚 度的涂層。在接下來(lái)的勻速旋轉(zhuǎn)過(guò)程中，由亍膠體的 粘性力仍然小于所受到的離心力，涂層持續(xù)向基片邊緣擴(kuò)散，基片邊緣的膠質(zhì)也不斷地被甩出，涂層厚度逐漸減小，如圖 3 所示。

同時(shí)，由于涂層已覆蓋整個(gè)基片表面，并且受基片上方快速流動(dòng)的氣流影響，溶劑的揮發(fā)速度加快，導(dǎo)致膠體的粘性力也不斷增加， 開始形成難以流動(dòng)的膠狀物。此時(shí)，膠質(zhì)涂層所受到的各個(gè)方向的力達(dá)到平衡，涂層的厚度也達(dá)到最終狀態(tài)。

最后，在涂層薄膜的邊緣部位，由于膠質(zhì)表面張力的作用， 薄膜邊緣部分的膠質(zhì)難以被甩出基片，會(huì)形成厚度不均勻的薄層，甚至?xí)U(kuò)張至基片的背面，因此基片邊緣需要經(jīng)過(guò)去邊處理（EBR，Edge Bead Removal），如圖 4 所 示。去邊處理包括基片正面和背面的化學(xué)去邊處理，以及基片正面的光學(xué)去邊處理。