SU-8光刻膠的光刻工藝
新型的化學增幅型負像SU-8光刻膠克服了普通光刻膠采用UV光刻深寬比不足的問題，十分適合于制備高深寬比微結構，因此SU-8膠是一種負性、環氧樹脂型、近紫外線光刻膠。它在近紫外光(365nm- 400nm)范圍內光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側壁和高深寬比的厚膜圖形;它還具有良好的力學性能、抗化學腐蝕性和熱穩定性;SU -8在受到紫外輻射后發生交聯，是一種化學擴大負性膠，可以形成臺階等結構復雜的圖形;且SU-8膠不導電，在電鍍時可以直接作為絕緣體使用。由于它具有較多優點，SU -8膠正被逐漸應用于MFMS、芯片封裝和微加工等領域。直接采用SU -8光刻膠來制備深寬比高的微結構與微零件是微加工領域的一項新技術。
光刻前清洗工藝：
為了獲得更好的光刻效果，在進行光刻膠旋涂之前，需要對基材進行清洗。常用的清洗方法是利用濃硫酸及雙氧水的混合溶液浸泡，隨后用去離子水清洗并用氮氣吹干。除此之外還可以利用反應離子刻蝕或等離子表面清洗儀清洗。
SU-8光刻膠的光刻工藝
將SU-8光刻膠組分旋涂在基材上，施涂厚度幾至幾百微米。涂覆晶片隨后在95攝氏度下干燥20分鐘并隨后冷卻至室溫。然后，將負光掩模與涂覆晶片接觸并將所得組件用來自汞燈的紫外輻射在劑量250mJ/cm2，下進行成像方式曝光。然后，通過在95攝氏度下加熱曝光晶片10分鐘而進行熱處理，或曝光后烘烤。浮雕圖像隨后通過將晶片在顯影液中浸漬10分鐘隨后用水漂洗和在空氣中干燥而顯影。
膜厚與曝光時間關系表格（20mJ/cm2）
厚度/微米 | 曝光時間（min） |
1~40 | 0.75~3 |
45~75 | 3~5 |
80~110 | 6~15 |
115~150 | 15~20 |
160~225 | 20~30 |
膜厚與前烘時間關系表
厚度 | 前烘時間（min） | |
微米 | 65℃ | 95℃ |
0.5-2 | 1 | |
3-5 | 1-2 | |
6-15 | 2-3 | |
16-25 | 3-4 | |
25-40 | 0-3 | 5-6 |
45-80 | 0-3 | 6-9 |
85-100 | 3-5 | 10-20 |
115-150 | 5 | 20-30 |
160-225 | 5-7 | 30-45 |
膜厚與后烘時間關系表
厚度 | 后烘時間(min) | |
微米 | 65℃ | 95℃ |
0.5-2 | 1-2 | |
3-5 | 2-3 | |
6-15 | 3-4 | |
16-25 | 4-5 | |
25-40 | 1 | 5-6 |
45-80 | 1-2 | 6-7 |
85-100 | 2-5 | 8-10 |
115-150 | 5 | 10-12 |
160-225 | 5 | 12-15 |
膜厚與顯影時間關系表格
厚度/微米 | 顯影時間（min） |
25~40 | 1~3 |
45~75 | 2~5 |
80~110 | 2~7 |
115~150 | 3~9 |
160~225 | 4~15 |
標簽: 光刻膠