（1）靈敏度

光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的最小能量值。光刻膠的敏感性對于深紫外光、極深紫外光等尤為重要。單位面積上入射的使光刻膠全部發生反應的最小光能量或最小電荷量（對電子束膠），稱為光刻膠的靈敏度，記為 S ，也就是D100 。S 越小，則靈敏度越高。靈敏度太低會影響生產效率，所以通常希望光刻膠有較高的靈敏度。但靈敏度太高會影響分辨率。

通常負膠的靈敏度高于正膠

(2) 分辨率

    區別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。光刻工藝中影響分辨率的因素有：光源、曝光方式 和 光刻膠本身（包括靈敏度、對比度、顆粒的大小、顯影時的溶脹、電子散射等）。通常正膠的分辨率要高于負膠。

(3)對比度

指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，分辨率越好。

 對比度的定義為

對比度是圖中對數坐標下對比度曲線的斜率，表示光刻膠區分掩模上亮區和暗區的能力的大小，即對劑量變化的敏感程度。靈敏度曲線越陡，D0 與 D100的間距就越小，則γ就越大，這樣有助于得到清晰的圖形輪廓和高的分辨率。一般光刻膠的對比度在 0.9 ~ 2.0 之間。對于亞微米圖形，要求對比度大于1。

通常正膠的對比度要高于負膠。

(4)粘滯性/黏度

衡量光刻膠流動特性的參數。

(5)粘附

表征光刻膠粘著于襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致硅片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經受住后續工藝。

(6)抗蝕性

光刻膠必須保持它的粘附性，在后續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。

光刻膠溶解速率k

光刻膠涂層在顯影液中的溶解速率，是光刻膠的一個重要參數，我們膜厚儀可以很好的去測試光刻膠的溶解速速。將涂有光刻膠的樣品，放置于顯影液中，用膜厚儀連續測試厚度，可以得到光刻膠隨時間的厚度逐漸變小的曲線圖。

光刻工藝流程

其中膜厚儀用在旋轉涂膠這一環節用來測試勻膠后的膜厚

涂膠工藝的目的就是在晶圓表面建立薄的、均勻的、并且沒有缺陷的光刻膠膜。

旋轉涂膠四個基本步驟：

涂膠的質量要求是：

（1）膜厚符合設計的要求，同時膜厚要均勻，膠面上看不到干涉花紋

（2）膠層內無點缺陷（如針孔等)

（3）涂層表面無塵埃和碎屑等顆粒。

國內光刻膠行業簡況

    從國內的相關產業對光刻膠的需求量看，目前主要還是以紫外光刻膠的用量為主，其中中小規模和大規模集成電路企業、分立器件生產企業對于紫外負性光刻膠的需求總量分別達到100噸/年~150噸/年；用于集成電路、液晶顯示的紫外正性光刻膠及用于LED顯示的紫外正負性光刻膠需求總量在700噸/年~800噸/年之間。

   但是超大規模集成電路深紫外248nm與193nm光刻膠隨著Intel大連等數條大尺寸線的建立，全球存儲器大廠蘇州爾必達及無錫海力士、全球代工頂級廠臺積電及中芯國際也相繼逐步建立大尺寸線，化學放大光刻膠需求量是與日俱增。 

免責聲明：文章來源網絡  以傳播知識、有益學習和研究為宗旨。 轉載僅供參考學習及傳遞有用信息，版權歸原作者所有，如侵犯權益，請聯系刪除。