1.什么是微流控技術(shù)

微流控技術(shù)是以微管道為網(wǎng)絡(luò)連接微泵、微閥、微儲(chǔ)液器、微電極、微檢測(cè)元件等具有光、電和流體輸送功能的元器件，最大限度地把采樣、稀釋、加試劑、反應(yīng)、分離、檢測(cè)等分析功能集成在芯片上的微全剖析系統(tǒng)。現(xiàn)在，微流控芯片的尺寸約幾個(gè)平方厘米，微管道寬度和深度(高度)為微米和亞微米級(jí)。微流控芯片的加工技術(shù)起源于半導(dǎo)體及集成電路芯片的微細(xì)加工，但它又不同于以硅材料二維和淺深度加工為主的集成電路芯片加工技術(shù)。近來，作為微流控芯片基礎(chǔ)的芯片資料和加工技術(shù)的研究已受到眾多發(fā)達(dá)國家的重視。

2.微流控芯片材料和特點(diǎn)

2.1微流控芯片材料

硬質(zhì)材料——單晶硅、無定性硅、玻璃、石英等；剛性有機(jī)聚合物材料如環(huán)氧、聚脲、聚氨、聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯等；

軟質(zhì)材料——二甲基硅氧烷( PDMS) 。

2.2微流控分析芯片材料的特點(diǎn)

單晶硅

優(yōu)點(diǎn)：具有化學(xué)惰性和熱穩(wěn)定性；成熟加工工藝 ,可使用光刻和蝕刻等制備集成電路的成熟工藝進(jìn)行加工及批量生產(chǎn)。

缺點(diǎn)：易碎 ,價(jià)格貴；不能透過紫外光；電絕緣性能不夠好表面化學(xué)行為較復(fù)雜。

玻璃和石英

優(yōu)點(diǎn)：很好的電滲性質(zhì)；優(yōu)良的光學(xué)性質(zhì)；可用化學(xué)方法進(jìn)行表面改性可用光刻和蝕刻技術(shù)進(jìn)行加工。

缺點(diǎn)：難以得到深寬比大的通道加工成本較高；鍵合難度較大（汶顥推出國內(nèi)唯一一款用于PDMS芯片、PMMA芯片、玻璃芯片等微流控芯片的真空熱壓機(jī)）。

有機(jī)聚合物

優(yōu)點(diǎn)：成本低、品種多；能通過可見與紫外光；可用化學(xué)方法進(jìn)行表面改性易于加工 ,可通過鑄造成型 ,激光濺射等方法得到深寬比大的能道；可廉價(jià)大量地生產(chǎn)。

缺點(diǎn)：不耐高溫；導(dǎo)熱系數(shù)低；表面改性的方法待進(jìn)一步研究。

二甲基硅氧烷（PDMS）

優(yōu)點(diǎn)：能重復(fù)可逆變形不發(fā)生永性破壞 ,用模塑法高保真地制備微流控芯片 ,能透過 300nm 以上的紫外可見光 ,耐用且化學(xué)惰性 ,無毒 ,價(jià)廉。

缺點(diǎn)：不耐高溫；導(dǎo)熱系數(shù)低；表面改性的方法待進(jìn)一步研究。

3.光刻(lithography)和刻蝕技術(shù)(etching)

3.1微流控光刻工藝

光刻是用光刻膠、掩模和紫外光進(jìn)行微制造 ,工藝如下 :

(a)仔細(xì)地將基片洗凈;

(b)在干凈的基片表面鍍上一層阻擋層 ,例如鉻、二氧化硅、氮化硅等;

(c) 再用甩膠機(jī)在阻擋層上均勻地甩上一層幾百 A厚的光敏材料——光刻膠。光刻膠的實(shí)際厚度與它的粘度有關(guān) ,并與甩膠機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度的平方根成反比;

(d) 在光掩模上制備所需的通道圖案。將光掩模復(fù)蓋在基片上,用紫外光照射涂有光刻膠的基片,光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng);

(e)用光刻膠配套顯影液通過顯影的化學(xué)方法除去經(jīng)曝光的光刻膠。這樣，可用制版的方法將底片上的二維幾何圖形精確地復(fù)制到光刻膠層上；

(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻膠的保護(hù)作用 ,采用化學(xué)腐蝕的方法在阻擋層上精確腐蝕出底片上平面二維圖形。

3.2掩模制備

用光刻的方法加工微流控芯片時(shí) ,必須首先制造光刻掩模。對(duì)掩模有如下要求：

a.掩模的圖形區(qū)和非圖形區(qū)對(duì)光線的吸收或透射的反差要盡量大;

b.掩模的缺陷如針孔、斷條、橋連、臟點(diǎn)和線條的凹凸等要盡量少;

c.掩模的圖形精度要高。

通常用于大規(guī)模集成電路的光刻掩模材料有涂有光膠的鍍鉻玻璃板或石英板。用計(jì)算機(jī)制圖系統(tǒng)將掩模圖形轉(zhuǎn)化為數(shù)據(jù)文件，再通過專用接口電路控制圖形發(fā)生器中的爆光光源、可變光闌、工作臺(tái)和鏡頭，在掩模材料上刻出所需的圖形。但由于設(shè)備昂貴，國內(nèi)一般科研單位需通過外協(xié)解決，延遲了研究周期。

由于微流控芯片的分辨率遠(yuǎn)低于大規(guī)模集成電路的要求，近來有報(bào)道使用簡(jiǎn)單的方法和設(shè)備制備掩模，用微機(jī)通過CAD軟件將設(shè)計(jì)微通道的結(jié)構(gòu)圖轉(zhuǎn)化為圖象文件后，用高分辨率的打印機(jī)將圖象打印到透明薄膜上，此透明薄膜可作為光刻用的掩模，基本能滿足微流控分析芯片對(duì)掩模的要求。

3.3濕法刻蝕

在光刻過的基片上可通過濕刻和干刻等方法將阻擋層上的平面二維圖形加工成具有一定深度的立體結(jié)構(gòu)。近年來，使用濕法刻蝕微細(xì)加工的報(bào)道較多，適用于硅、玻璃和石英等可被化學(xué)試劑腐蝕的基片。已廣泛地用于電泳和色譜分離。

濕法刻蝕的程序?yàn)?/span> :

(a) 利用阻擋層的保護(hù)作用，使用適當(dāng)?shù)奈g刻劑在基片上刻蝕所需的通道 ;

(b) 刻蝕結(jié)束后 ,除去光膠和阻擋層，即可在基片上得到所需構(gòu)型的微通道；

(c)在基片的適當(dāng)位置(一般為微通道的端頭處)打孔，作為試劑、試樣及緩沖液蓄池。刻有微通道的基片和相同材質(zhì)的蓋片清洗后，在適當(dāng)?shù)臈l件下鍵合在一起就得到微流控分析芯片。

玻璃和石英濕法刻蝕時(shí)，只有含氫氟酸的蝕刻劑可用，如HF/HNO3，HF/ NH4。由于刻蝕發(fā)生在暴露的玻璃表面上，因此，通道刻的越深，通道二壁的不平行度越大 ,導(dǎo)致通道上寬下窄。這一現(xiàn)象限制了用濕法在玻璃上刻蝕高深寬比的通道。

3.4等離子體刻蝕(plasma etching)

等離子體刻蝕是一種以化學(xué)反應(yīng)為主的干法刻蝕工藝，刻蝕氣體分子在高頻電場(chǎng)作用下，產(chǎn)生等離子體。等離子體中的游離基化學(xué)性質(zhì)十分活潑，利用它和被刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)，達(dá)到刻蝕微流控芯片的目的。

等離子體刻蝕已應(yīng)用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛細(xì)管電泳和色譜微芯片。先在石英基片上涂上一層正光膠 (爆光后脫落的光膠)，低溫烘干后，放置好掩模，用紫外光照射后顯影，在光膠上會(huì)產(chǎn)生微結(jié)構(gòu)的圖象。

然后用活性CHF3等離子體刻蝕石英基片 ,基片上無光膠處會(huì)產(chǎn)生一定的深度通道或微結(jié)構(gòu)。這樣可產(chǎn)生高深寬比的微結(jié)構(gòu)。近來，也有將等離子體刻蝕用于加工聚合物上的微通道的報(bào)道。

4.微細(xì)加工新技術(shù)

4.1模塑法 (cast molding)

用光刻和刻蝕的方法先制出陽模 (所需通道部分突起)，然后澆注液態(tài)的高分子材料。將固化后的高分子材料與陽模剝離就得到具有微通道的芯片。這種制備微芯片的方法稱為模塑法。模塑法的關(guān)鍵在于模具和高分子材料的選擇，理想的材料應(yīng)相互之間粘附力小，易于脫模。

微模可由硅材料、玻璃、環(huán)氧基SU28負(fù)光膠和聚二甲基硅氧烷( PDMS)等制造。

通過光刻可在SU28負(fù)光膠上得到高深寬比(20 : 1)和分辯率高達(dá)幾微米的圖形，經(jīng)顯影烘干后可直接作模具用；用聚二甲基硅氧烷澆注于由硅材料、玻璃等材料制體積的母模上可制得聚二甲基硅氧烷模具。

澆注用的高分子材料應(yīng)具有低粘度，低固化溫度，在重力作用下，可充滿模子上的微通道和凹槽等處。可用的材料有兩類：固化型聚合物和溶劑揮發(fā)型聚合物。固化型聚合物有聚二甲基硅氧烷(硅橡膠)、環(huán)氧樹脂和聚胺酯等，將它們與固化劑混合，固化變硬后得到微流控芯片；溶劑揮發(fā)型聚合物有丙烯酸、橡膠和氟塑料等，通過緩慢地?fù)]發(fā)去溶劑而得到芯片。

雖然模塑法限于某些易固化的高分子材料，但該法簡(jiǎn)便易行，芯片可大批量復(fù)制，不需要昂貴的設(shè)備，是一個(gè)可以制作廉價(jià)分析芯片的方法。但此類芯片的微流控行為研究尚少，其實(shí)用價(jià)值尚待研討。

4.2軟刻蝕(soft lithography)

近來，以哈佛大學(xué)Whitesides教授研究組為主的多個(gè)研究集體，以自組裝單分子層(self-assembled monolayers , SAMs)、彈性印章(elastomeric stamp)和高聚物模塑(molding of organic polymers) 技術(shù)為基礎(chǔ) ,發(fā)展了一種新的低成本的微細(xì)加工新技術(shù)“軟刻蝕”。軟刻蝕技術(shù)的核心是圖形轉(zhuǎn)移元件——彈性印章。

其方法有微接觸印刷法、毛細(xì)微模塑法、轉(zhuǎn)移微模塑法、微復(fù)制模塑法等。它不僅可在高聚物等材料上制造復(fù)雜的三維微通道，而且可以改變材料表面的化學(xué)性質(zhì)。有可能成為生產(chǎn)低成本的微流控分析芯片的新方法。

制作彈性印章的最佳聚合物是聚二甲基硅氧烷(PDMS)。它表面自由能低(～21.6dyn/cm)，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、與其它材料不粘連；與基片正交接觸嚴(yán)密，容易取模；柔軟，易變形，彈性好，可在曲面上復(fù)制微圖形。

4.3微接觸印刷法(micro-contact printing ,μCP)

微接觸印刷法是指用彈性印章結(jié)合自組裝單分子層技術(shù)在平面或曲面基片上印刷圖形的技術(shù)。自組裝單分子層是含有一定官能團(tuán)的長鏈分子在合適的基片上自發(fā)地排列成規(guī)整的結(jié)構(gòu)以求自由能最小。

已確定的自組裝單分子層體系有烷基硫醇在金銀等造幣金屬表面和烷基硅氧烷在玻璃、硅、二氧化硅表面等。自組裝單分子層的厚度約2～3nm ,改變烷鏈中亞甲基的數(shù)目可在0.1nm的精度范圍內(nèi)改變單分子層的厚度。

通過用光刻等技術(shù)先制備有關(guān)圖形的模具，將PDMS澆注在模具上可制得彈性印章。在印章的表面涂上烷基硫醇墨水，可在金銀等金屬表面印出微圖形。

在此過程中，硫醇分子自動(dòng)排列成規(guī)整的結(jié)構(gòu)以求自由能最小，具有自動(dòng)愈合缺陷的趨勢(shì)，可減少印刷缺陷并保證印刷清晰度。印刷后的表面可用化學(xué)腐蝕或化學(xué)鍍層的方法使圖形顯形。若把印章做得很薄，貼在輥筒表面，成為微印刷輥，能提高印刷的效率及印刷大面積的圖形。

微接觸印刷法能很方便地控制微通道表面的化學(xué)物理性質(zhì)，在微制造、生物傳感器、表面性質(zhì)的研究上有很大的應(yīng)用前景。

4.4有機(jī)聚合物模塑法( molding of organic polymers)

有機(jī)聚合物模塑法包括毛細(xì)管微模塑法( micro molding in capillaries , MIMIC)、微轉(zhuǎn)移模塑法(micro transfer molding ,μTM)和復(fù)制模塑法(replica molding)等。

在毛細(xì)管微模塑法中，彈性印章上的微通道與基片之間構(gòu)成了貫通的毛細(xì)管網(wǎng)絡(luò)，將高分子預(yù)聚物(例如紫外固化的聚脲和熱固化的環(huán)氧)滴在網(wǎng)絡(luò)的入口，毛細(xì)作用會(huì)把預(yù)聚體吸入通道網(wǎng)絡(luò)，固化后可得到與印章上微通道凹凸互補(bǔ)的微結(jié)構(gòu)。MIMIC只能加工通道網(wǎng)絡(luò)與入口連通的微結(jié)構(gòu)。

微轉(zhuǎn)移模塑法是在彈性印章上的凹槽內(nèi)填滿高分子預(yù)聚物，將其扣在基片上，固化后，移去模子，在基片上就印上了高分子材料構(gòu)成的圖形。μTM已用于制作光學(xué)波導(dǎo)管。

采用紫外光固化聚氨酯，用μTM 做出微米級(jí)的波導(dǎo)管后，在其上澆注一層覆蓋層，通過控制紫外光照時(shí)間而控制波導(dǎo)管和覆蓋層的光學(xué)指數(shù)差，能控制波導(dǎo)管的光耦合效果，方便、快速。

微復(fù)制模塑法是通過在彈性印章上直接澆注聚氨酯等高分子材料得到微結(jié)構(gòu)。此方法可有效地復(fù)制尺寸為30nm到幾厘米微結(jié)構(gòu)。用氧等離子體處理高分子材料表面使其表面改性，得到的毛細(xì)管功能通道可用于電泳分離等方面的研究。

以模塑為基礎(chǔ)的軟刻蝕具有簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)、保真度高等優(yōu)點(diǎn)，它可用于在聚合物、無機(jī)和有機(jī)鹽、溶膠和凝膠、陶瓷和碳等材料上加工微結(jié)構(gòu)，已用于制備微光柵，聚合物波導(dǎo)管、微電容和微共鳴器等。而光刻只能在光膠這一類聚合物上加工微結(jié)構(gòu)。

4.5熱壓法(imprinting)

在熱壓機(jī)中加熱聚甲基丙烯酸甲酯至135℃，保溫條件下放上硅的陽模加壓5min，即可在聚甲基丙烯酸甲酯片上壓制出微通道。將帶通道的基片和有孔洞的蓋片加熱封接可得微流控分析芯片。此法可大批量復(fù)制，設(shè)備簡(jiǎn)單，操作簡(jiǎn)便。

4.6激光切蝕法(laser ablation)

用紫外激光使可降解高分子材料曝光 ,把底片上的二維幾何圖形精確復(fù)制下來。調(diào)整曝光強(qiáng)度可控制材料的光解深度。用壓力吹掃去除降解產(chǎn)物 ,得到帶有微通道的基片。它和另一片打好孔洞的蓋片熱粘合就得到所需的芯片。

這種方法對(duì)技術(shù)設(shè)備要求較高，但步驟簡(jiǎn)便，而且不需超凈環(huán)境，精度高。可用于在聚甲基丙烯酸甲酯，聚碳酸酯等可光解高分子材料上加工微通道。

4.7 LIGA技術(shù)

LIGA技術(shù)是由光刻、電鑄和塑鑄三個(gè)環(huán)節(jié)組成。第一步為同步輻射深度X光爆光，可將掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到有幾百微米厚的光刻膠上，得到一個(gè)與掩膜結(jié)構(gòu)相同，厚度幾百微米、最小寬度為幾微米的三維立體結(jié)構(gòu)。

電鑄可采用電鍍的方法。利用光刻膠下面的金屬進(jìn)行電鍍，將光刻膠圖形上的間隙用金屬填充，形成一個(gè)與光刻膠圖形凹凸互補(bǔ)的金屬凹凸版圖，將光刻膠及附著的基底材料除掉，就得到鑄塑用的金屬模具。

通過金屬注塑版上的小孔將塑料注入金屬模具腔體內(nèi)，加壓硬化后就得到與掩膜結(jié)構(gòu)相同塑料芯片。通常以聚甲基丙烯酸甲酯作為塑鑄材料。

5.封接技術(shù)

5.1熱鍵合(fusion bonding)

對(duì)玻璃和石英材質(zhì)刻蝕的微結(jié)構(gòu)一般使用熱鍵合方法，將加工好的基片和相同材質(zhì)的蓋片洗凈烘干對(duì)齊緊貼后平放在高溫爐中，在基片和蓋片上下方各放一塊拋光過的石墨板，在上面的石墨板上再壓一塊重0.5 Kg的不銹鋼塊，在高溫爐中加熱鍵合。

玻璃芯片鍵合時(shí)，高溫爐升溫速度為10℃/分，在620℃時(shí)保溫3.5小時(shí)，再以10℃/分的速率降溫。石英芯片鍵合溫度高達(dá)1000℃以上。此方法對(duì)操作技術(shù)要求較高，芯片如一次封接后有干涉條紋可多次熱鍵合。

但熱鍵合不能用于含溫度敏感試劑、含電極和波導(dǎo)管芯片，也不能用于不同熱膨脹系數(shù)材料的封接。

一般地說，封接比在玻璃和硅片上刻蝕微結(jié)構(gòu)更困難，熱鍵合成品率也不高。

5.2陽極鍵合(anodic bonding)

在玻璃、石英與硅片的封接中已廣泛采用陽極鍵合的方法。即在鍵合過程中 ,施加電場(chǎng) ,使鍵合溫度低于軟化點(diǎn)溫度。

為防止熱鍵合可能發(fā)生的通道變形 ,甚至塌陷的現(xiàn)象 ,玻璃與玻璃之間的陽極鍵合已引起廣泛的興趣。在玻璃表面沉積上一層薄膜材料如多晶硅、氮化硅等作為中間層，在約700伏的電場(chǎng)下，升溫到400℃時(shí)，可使兩塊玻璃片鍵合。

文獻(xiàn)報(bào)道，在500～760伏電場(chǎng)下，升溫到500℃時(shí)，可使兩塊玻璃片鍵合而不需在玻璃表面沉積中間層。在兩塊玻璃板尚未鍵合時(shí)，板間空氣間隙承擔(dān)了大部分電壓降，玻璃板可視為平行板電容器，板間吸引力與電場(chǎng)強(qiáng)度的平方成正比。

因此，鍵合從兩塊玻璃中那些最接近的點(diǎn)開始，下板中可移動(dòng)的正電荷(主要是Na+)與上板中的負(fù)電荷中和，生成一層氧化物(正是這層過渡層，使兩塊玻璃板封接)，該點(diǎn)完成鍵合后，周圍的空氣間隙相應(yīng)變薄，電場(chǎng)力增大，從而鍵合擴(kuò)散開來，直至整塊密合。玻璃表面進(jìn)行拋光處理，減小玻璃之間間隙寬度，可降低鍵合溫度。

5.3其它封接方法

有報(bào)道用HF和硅酸鈉粘結(jié)玻璃的低溫鍵合技術(shù)，用1 %HF 滴入兩玻璃片之間的縫隙中，在室溫下加40gf/ cm2壓力，2h即可鍵合成功，溫度升高60℃，1h即可完成；在兩玻璃片之間，通過硅酸鈉稀溶液中間層，在室溫下放置過夜，或 90℃下放置1h也能進(jìn)行鍵合。

Sayah等又報(bào)道了兩種低溫鍵合的方法：a.在兩片仔細(xì)清潔的玻璃片之間使用1μm厚的環(huán)氧膠，在1MPa的壓力和90℃條件下硬化；b.在100～200℃加高壓15h使之直接鍵合，壓力最高可用50MPa。

微流控分析芯片的加工技術(shù)起源于半導(dǎo)體及集成電路芯片的微細(xì)加工，主要是用于硅材料平面二維的或淺深度的加工，有其局限性。為適應(yīng)微全分析系統(tǒng)的要求，微流控分析芯片將發(fā)展為以微管道為網(wǎng)絡(luò)連接微泵、微閥、微光電檢測(cè)等功能元器件的立體結(jié)構(gòu)。它的主要發(fā)展前景有以下幾方面：

(1) 微泵、微閥、微光電檢測(cè)元件的加工及與芯片的集成技術(shù)將迅速發(fā)展；

(2) 由于濕法刻蝕不能得到高深寬比的通道，也不能精確地加工通道的形狀和深度，難以降低彎道效應(yīng)，提高芯片的集成度，而干法刻蝕目前用于硅材料上的加工高深寬比通道的報(bào)道較多，用于玻璃和石英基片上的報(bào)道尚稀見。因此，在玻璃、石英基片上加工高深寬比通道的干法刻蝕技術(shù)將受到重視；

(3) 聚合物芯片由于易批量生產(chǎn)、成本低，有望替代玻璃和石英芯片而進(jìn)入市場(chǎng)。用高深寬比陽模熱壓法或模塑法加工高分子聚合物芯片的報(bào)道將會(huì)不斷出現(xiàn)；

(4) 玻璃和石英等芯片的低溫鍵合技術(shù)將取代熱鍵合，以提高封接成品率，降低生產(chǎn)成本。聚合物芯片的封接技術(shù)將受到重視；

(5) 物化性能更好的聚合物芯片材料和表面修飾技術(shù)將不斷出現(xiàn)。

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