不管是氧化、淀積還是擴散、離子注入，這些單項工藝本身對硅晶圓片各個不同的位置沒有任何選擇性，它們都是對整個硅晶圓片進行處理，不涉及任何圖形。

集成電路是由成千上萬個甚至上億個晶體管等元器件集成的，而這些元器件也許類型、結構、尺寸都不同。IC制造的精髓是能夠將IC設計者的要求轉移到硅晶圓片上，因此在集成電路制造流程中，有一個關鍵問題必須要解決，那就是如何在一片硅晶圓片上定義、區分和制造出不同類型、不同結構以及不同尺寸的元器件？又如何把這些數以億計的元器件集成在一起獲得預期的電路功能？

答案只有一個，那就是集成電路制造需要圖形轉移工藝，它主要包括兩部分，即光刻工藝與刻蝕工藝。

一、照相技術的啟發

光刻工藝是一種圖像復印技術，是集成電路制造工藝中一項關鍵的工藝。簡單地說，光刻受到照相技術的啟發，利用光刻膠感光后特性發生改變的原理，將光刻掩膜版的圖形精確地復印到涂在硅晶圓片上的光刻膠上，然后利用光刻膠作為掩膜保護，在晶圓片表面的掩膜層上進行選擇性加工（刻蝕或注入），從而在晶圓片上獲得相應的電路圖形結構。

    光刻工藝是加工集成電路微圖形結構的關鍵工藝。在主流制造工藝的單項工藝中，該工藝最為復雜、成本最為昂貴。它對各層薄膜的圖形及摻雜區域的確定起著決定性作用。通常用光刻次數和所需光刻掩膜版的個數來表示某集成電路制造工藝的難易程度。

    光刻工藝原理與我們通常的照相技術相類似，基本過程為：

    1、在硅晶圓片上涂上一層光刻膠（又稱光致抗蝕劑，一種光敏材料），這層光刻膠相當于印相紙。用預先制作好的有一定圖形的光刻掩膜版（相當于印相時的底片）蓋上。

    2、 對涂有光刻膠的晶圓片進行曝光，此過程相當于印相時的感光。光刻膠感光后其特性發生改變，正膠的感光部分變得容易溶解，而負膠則相反。

    3、對晶圓片進行顯影。正膠經過顯影后被溶解，只留下未受光照的部分形成圖形；而負膠則相反，受到光照的部分會變得不易溶解，經過顯影后，留下光照部分形成圖形。之后對晶圓片進行刻蝕，便可在晶圓片表面的掩膜層上割制出所需的圖形。

    4、用去膠法把涂在晶圓片上的感光膠去掉。

    光刻工藝是制作半導體器件和集成電路制造的關鍵工藝。將光刻工藝和其它集成電路工藝，如摻雜工藝、薄膜制備工藝等相結合，便可以完成半導體器件和集成電路的制作。