一、認真核對隨工單：檢查隨工單上的工步與片子數是否與實際相符，如果正確，將其倒入黑盒中，用倒邊器檢查片子是否有崩邊，若有則查對隨工單上是否有標明，若無，退回上步工序。確定無誤后，按照隨工單上的要求制作。

二、光刻的主要步驟：

勻膠、前烘、曝光、顯影、顯影后檢查

勻膠：

目的：在硅片表面均勻涂上一層厚度一定的光刻膠

準備工作：

①、泡膠嘴、擦膠嘴、走陪片

②、檢查膠瓶內光刻膠（膠液面距瓶底5厘米，及時更換新膠，并填寫“換膠記錄表”） 

③ 、按隨工單加工工步、勻膠程序 確定表，選擇正確的勻膠程序

注意：在勻膠過程中，如發 生不明原因的報警應通知設備人員；停用5分鐘以上應先勻3個陪片，方可進行正式片的勻膠。

前烘

目的：將涂在硅片表面的膠內溶劑充分揮發，增強抗顯影能力

主要步驟：

①、將勻完膠的硅片從黑色的片架中倒入白色的四氟片架中

②、將硅片放入烘箱中，負膠烘15分鐘，正膠25分鐘

③、將烘好的硅片取出，倒入黑色聚乙烯片架中

注意：操作時必須帶上手套操作

曝光

目的：將掩膜版上的圖形復印到硅片上

主要步驟：

①、檢查光刻版：將光刻版放在UV燈下檢查，照射背面檢查是否有顆粒，若有用氮氣吹掉，切忌不要吹正面

②、裝版：將版盒打開，開口方向背對自己，將光刻版正面朝下，箭頭朝左下方，扣上版盒，準備曝光

③、上版與對版：

        RTLD〉RCHG/N

        FILE NAME = C：MK609-

        RETICLE NAME = M2

        EXECUTE？

   ④、 曝光操作：

        FEXP〉PRNT/IO             

PARAMETER CHECK COMPLETE (「Y」OR N)=_N_找到  EXP. TIME= 按“空格”修改曝光時間（見 “曝光時間確定表”）HOW MANY WAFERS = _1_待片子上到載片臺后，手動對準標記進行曝光，顯影，檢驗，確認無誤后，對硅片繼續進行曝光

曝光時間確定表

顯影

目的：將未感光部分的負性光刻膠溶除，留下感光部分的膠膜；將感光部分的正性光刻膠 除，留下未感光部分的膠膜

注意事項：

①、檢查N2壓力不低于22PSI，真空壓力必須大于22或23Hg/cm2,顯影液壓力調制15PSI

②、檢查顯影液是否夠，若不夠，要及時添加

③、機器若出現故障，及時通知班長或技術員

注意：氧化層光刻后帶膠注入的片子一定要走熱盤

顯影后檢查

目的：確定光刻膠成像情況及表面情況是否符合要求，以確定能否進行下道工序

基本步驟：

①、UV燈下檢查光刻膠是否有劃傷、沾污或覆蓋不完全的情況

②、顯微鏡下檢查是否沒有光刻膠圖形、重復曝光、浮膠、圖形 套偏（錯行，錯位）、接觸不良、曝光不適度、光刻膠覆蓋不完全、顯影不徹底、連條、沾污、缺口、毛刺等現象