• 微流控中的電極掩膜版的制備工藝測量：測量掩膜版的關鍵尺寸（CD，Crital Dimension）和套刻精度（Overlay）等關鍵參數。缺陷處理：對檢測到的缺陷進行修復。貼光學...2025-05-06 10:10:10
• 正性光刻對掩膜版有哪些要求案到光刻膠上。分辨率受到光刻膠、曝光光源和掩膜版本身等多種因素的影響。套刻精度：套刻精度是指不同層圖案之間的對準精度。對于正性光刻而言，掩膜版上的圖...2025-02-17 09:46:14
• 微流控光刻掩膜版的介紹及作用，其中需對掩膜版關鍵尺寸（CD，CriticalDimension）、套刻精度（Overlay）等關鍵參數進行測量，同時需使用自動光學檢測設備（AO...2024-08-15 10:13:13
• 光刻工藝介紹裝備，評價光刻機性能主要有三個指標。即分辨率（resolution）、套刻精度(overlay)和產率（throughput）。分辨率一般有兩種表示...2023-12-21 10:56:32
• 對準工作原理，這樣才能保證每一層圖形有正確的相對位置，這稱為套刻曝光（簡稱套刻）。套刻精度是投影光刻機的關鍵技術指標，而對準精度是影響套刻精度的關鍵因素。掩模硅...2018-07-27 09:05:43
• 芯片光刻的流程詳解（上）lat進行激光自動對準b、通過對準標志，位于切割槽上。另外層間對準，即套刻精度,保證圖形與硅片上已經存在的圖形之間的對準。（文章來源:半導體行業觀察...2018-07-12 08:36:24
• Nikon光刻機對準機制和標記系統研究心坐標，最終完成所有曝光前的對準工作。經過以上各步的對準操作，可得到的套刻精度是(某次實測值),X方向3a值為0.078Km,Y方向0.082um,...2018-01-31 09:33:17