產(chǎn)品尺寸

1-4英寸

生長方法

直拉單晶（Cz）

表面拋光

單面拋光

直徑公差

100.2±0.3mm

摻雜類型

摻雜劑（磷或硼）

晶體取向

100  111

電阻率Ω

＜0.0015 Ω.cm  0.001-0.5Ω.cm  1-10Ω.cm

平整度TIR

＜3um

翹曲度TTV

＜10um

彎曲度BOW

＜10um

拋光粗糙度Ra

＜0.5nm

顆粒度Pewaferr

＜（for size＞0.3um）

厚度um

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用途

用于微流控芯片光刻工藝模具、工藝等同步輻射樣品載體、LPCVD/PECVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM、AFM、紅外光譜 熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體半導體等諸多科研用途。