隨著半導體器件的應用范圍越來越廣，晶圓制造技術也得到了快速發展。其中，光刻技術在晶圓制造過程中的地位尤為重要。光刻膠是光刻工藝中必不可少的材料，其質量直接影響到晶圓生產的效率和質量。本文將圍繞著晶圓表面光刻膠的涂覆與刮邊工藝展開研究，旨在進一步完善這一關鍵制造技術。

一、光刻膠涂覆工藝

光刻膠的涂覆工藝是決定光刻質量的重要因素之一。該工藝一般包括材料準備、涂布方法、涂布參數和裝備的選擇等環節。

1、材料準備

光刻膠是光刻過程中的重要材料之一，其性能是否合格是影響光刻結果的關鍵因素。對于廠家而言，應選擇具備較高品質的光刻膠。

2、涂布方法

光刻膠的涂布方法有四種:手動涂覆、旋涂、噴涂和滾涂。共中，旋涂法是目前應用最為廣泛的光刻膠涂覆方法，主要是因為它具有以下優點:

(1)涂層均勻度高，液體能夠自動滲入實驗器具毛細孔隙中。

(2)涂覆時間短，可以快速制備大量樣品。

(3)對于薄片材料來說，勻膠機旋涂法可以獲得單層的涂層。

3、涂布參數

在光刻膠涂覆過程中，涂布參數是非常關鍵的。涂層厚度、涂層均勻性等都與涂布參數有關。主要有以下幾個要素:

(1)勻膠機的旋轉速度

正確的旋轉速度可以保證涂層均勻，既不會過厚也不會過薄。對于特定樣品及其特定涂厚，需要進行嘗試和調整，找到最佳的旋轉速度。

(2)光刻膠的涂層濃度

涂層濃度是指光刻膠溶液中所含有的固體質量占溶液總質量的比例。如果濃度過低，最后的光刻圖形可能會被模糊，不易清晰;如果濃度過高，會導致固定器很快結晶，產生不穩定性。

(3)涂層時間

涂層時間的長短會影響光刻膠的厚度和質量。涂層時間過短會導致涂層不均勻;而過長則會造成光刻膠凝固，不容易移除。

4、裝備的選擇

光刻設備除了能夠進行較為標準的曝光、顯影之外，還需要進行涂覆。常見的是光刻膠涂布器，涂層厚度、涂布寬度和總體積都可以設置、控制。在涂覆液流過程中，可以通過選擇泵的轉速，來控制液流速度和量。

二、光刻膠刮邊工藝

光刻膠刮邊工藝是保證光刻膠涂布均勻的關鍵。在晶圓表面涂覆光刻膠時，從液體的自由表面到沉積在晶片表面都會出現液壓落差，尤其正面與背面的液壓落差更加明顯，會對涂層的均勻性產生影響。因此，需要進行刮邊操作，以保證涂層厚度及其均勻性，并切去在晶片表面產生的空氣泡。

1、主要工藝流程

光刻膠刮邊工藝主要有三個步驟:刮液器靠近晶片，刮液器在晶片上刮液，移動刮液器。具體流程如下:

(1)刮液器靠近晶片

刮液器一般采用碳纖維制成，以便材料硬度更高、更防靜電。使用粗略的方法，刮液器可以通過觸碰晶片表面來確認位置，而對于更高精度的刮邊，可以通過薄膜應變計、放電(或電容靜電檢測毛細管)、紅外探測等非接觸式或半接觸式方法進行位置確認。

(2)刮液器在晶片上刮液

通過調節刮液器的角度和壓力來控制涂料過度刮掉的涂料量，以便獲得更高質量的涂料均勻性。

(3)移動刮液器

隨著刮液器的移動，可以使殘余的涂層厚度均勻分布在晶片表面。

2、關鍵參數

光刻膠刮邊工藝需要注意以下關鍵參數:

(1)刮液器材質

刮液器需要具有較高的硬度和強度，以避免在刮過程中出現刮痕或勾邊等問題。碳纖維材質具備這樣的特點，因此是制造刮液器的常見材料。

(2)刮液器角度和壓力

刮液器的角度和壓力決定了涂層的厚度和均勻性。過小的角度和過高的壓力會導致刮過多的涂層，導致涂層變薄和較差的均勻性;而太大的角度和太小的壓力會導致涂層過厚和波動現象。因此，需要進行多次嘗試和調整，找到最佳的角度和壓力。

(3)刮液器移動速度

移動速度決定了涂層的厚度和均勻性。速度過慢會導致涂層過厚，速度過快會導致涂層過薄。因此，在移動速度方面需要進行多次實驗，找到最佳的速度。

三、結論

晶圓表面光刻膠的涂覆與刮邊工藝是晶圓制造過程中非常關鍵的環節。在涂覆工藝中，正確選擇材料、涂覆方法、涂布參數和裝備的選擇等關鍵環節可以保證涂層質量的穩定和均勻，對光刻膠刮邊工藝的穩定性和可控性均有所影響。在刮邊工藝中，刮液器材質、刮液器角度和壓力、刮液器移動速度等參數的調試需要進行多次嘗試并進行調整，以保證涂層的均勻性和穩定性。在今后的工作中，需要通過進一步的理論分析和實驗優化工藝技術，以推動晶圓制造技術的發展。

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