較為常見的微流控芯片制備加工方法有：

① 絲網(wǎng)印刷  ② 噴墨打印  ③ 紫外光刻（Ultra-Violet，UV）技術(shù)  ④ 電子束直寫（Electron Beam Lithograph，EBL） ⑤ 質(zhì)子束直寫（Proton Beam Writing，PBW）⑥ 飛秒激光雙光子直寫技術(shù)

①絲網(wǎng)印刷：作為傳統(tǒng)的印刷技術(shù)成本低廉、工藝簡單, 主要應(yīng)用于電路板、醫(yī)療器械、服裝等領(lǐng)域.隨著微流控技術(shù)的發(fā)展，為控制其成本以適應(yīng)工業(yè)化生產(chǎn), 絲網(wǎng)印刷逐漸被應(yīng)用于制備微流控芯片，絲網(wǎng)印刷技術(shù)的設(shè)備要求不高，因此大大降低了微流控芯片的制作成本，而且加工步驟少，可重復(fù)性高，有利于微流控芯片走向工業(yè)批量化生產(chǎn)。

②噴墨打印：一般應(yīng)用于不同材料的精密組件噴印成型， 其優(yōu)勢在于高速度、自動化、低成本、環(huán)境友好度高等， 利用噴墨技術(shù)可直接將墨滴噴射到電路板上，從而精確繪制電路圖。

③紫外光刻技術(shù)：紫外光源因為其具有較短的波長、高的光子能量、加工分辨率高等優(yōu)勢，在高精度加工領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。在紫外光刻過程中，材料吸收一個紫外光子后，從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)從而引發(fā)后續(xù)的光聚合或光解反應(yīng)。紫外光刻主要有以下特點(diǎn)：

熱影響區(qū)域小：紫外光刻技術(shù)的加工原理是一種光化學(xué)反應(yīng)的原理，通過高能量的紫外光子直接照射破壞加工材料中的化學(xué)鍵，因而其熱影響區(qū)域非常小甚至是無熱影響區(qū)域；

加工材料廣泛：紫外光源光子能量高，因此可以加工一些可見光與紅外激光無法加工的材料；

分辨率高：紫外光源的波長一般可以達(dá)到 395 nm，因此衍射極限尺寸比可見光波段小，因此分辨率高。它的加工精度可以達(dá)到 200 nm 以下，能夠獲得精密的微納結(jié)構(gòu)。

紫外光刻技術(shù)方式可以分為紫外掩模加工和紫外直寫加工。紫外掩模加工需要光刻膠掩模板，紫外激光光源為面光源，而紫外直寫加工則不需要光刻膠掩模板。

 ④電子束與質(zhì)子束直寫技術(shù)： 電子束直寫是通過高能電子束在涂覆有感光材料（光刻膠）的基板上直接曝光獲得結(jié)構(gòu)的加工技術(shù)，早在 1965 年就有使用電子束直寫制作了 100 nm 的納米結(jié)構(gòu)的報道。電子束的波長非常短，在 100 KV 的加速電壓系統(tǒng)下，電子波長為 0.12 nm。根據(jù)阿貝衍射極限理論，電子束直寫的精度可以達(dá)到納米數(shù)量級。

電子束直寫納米結(jié)構(gòu)與其他傳統(tǒng)納米結(jié)構(gòu)加工技術(shù)相比具有許多優(yōu)勢，例如：高分辨率、無掩膜、長焦深，并且還可以通過計算機(jī)控制直接寫入任意納米結(jié)構(gòu)。電子束直寫的主要缺點(diǎn)是由于襯底和光刻膠膠層中的散射會引起曝光區(qū)域的吸收劑量不均衡，從而引起的相互鄰近效應(yīng)。 質(zhì)子束直寫主要是通過將高能量的質(zhì)子束聚焦照射到光刻膠內(nèi)直接加工納米結(jié)構(gòu)的納米加工技術(shù)。質(zhì)子束的穿透能力強(qiáng)于電子束，并且質(zhì)子束的空間發(fā)散角也極小，所以質(zhì)子束直寫可以制備得到高的真寬比的納米結(jié)構(gòu)。

⑥飛秒激光雙光子直寫技術(shù)：是一種基于激光光源的加工方式，與其他傳統(tǒng)的連續(xù)激光加工技術(shù)相比，它的脈沖寬度更窄，峰值功率也更高，往往通過非線性效應(yīng)與材料相作用，加工精度可以達(dá)到小于百納米，且具備良好的 3D 加工能力，因此在微納制造領(lǐng)域擁有巨大優(yōu)勢。飛秒激光通過物鏡會聚的方式到達(dá)樣品材料內(nèi)部，由于材料與飛秒激光的作用方式為雙光子或多光子吸收，因此只有激光焦點(diǎn)的中心區(qū)域會發(fā)生光與物質(zhì)的相互作用，從而突破光學(xué)衍射極限，實現(xiàn)高精度（分辨率<100 nm）的加工。

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