光刻膠（Photoresist簡稱PR）又稱光致抗蝕劑，它是一種對光敏感的有機化合物，它受紫外光曝光后，在顯影液的溶解度會發生變化。

①光刻膠作用：將掩膜板上的圖形轉移到晶圓表面頂層的光刻膠中；在后續工序中，保護下面的材料（刻蝕或離子注入）。

②光刻膠的成分

樹脂：光刻樹脂是一種惰性的聚合物基質，是用來將其他材料聚合在一起的粘合劑。光刻膠的粘附性、膠膜厚度等都是樹脂給的。

感光劑：感光劑是光刻膠的核心部分，他對光形式的輻射能，特別在紫外區會發生反應。曝光時間、光源所發射光線的強度都根據感光劑的特性選擇決定的。

溶劑：光刻膠中容量最大的成分，感光劑和添加劑都是固體物質，為了方便均勻的涂覆，要將他們加入溶劑進行溶解，形成液態物質，并且使之具有良好的流動性，可以通過選擇方式涂布在wafer表面。

添加劑：用以改變光刻膠的某些特性，如改善光刻膠發生反射而添加染色劑。

③光刻膠的主要技術參數

分辨率：是指光刻膠可再現圖形的最小尺寸。

對比度：指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。

敏感度：光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的最小能力值（或最小曝光量）。

粘滯性/黏度：衡量光刻膠流動特性參數。光刻膠中的溶劑揮發會使粘滯性增加。

粘附性：是指光刻膠與晶圓之間的粘著強度。

抗蝕性：光刻膠黏膜必須保持它的粘附性，并在后續的濕刻和干刻中保護襯體表面，這種性質被稱為抗蝕性。

表面張力：液體中將表面分子拉向液體主體內分子間的吸引了。

④光刻膠的分類

根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類：

正膠：曝光前對顯影液不可溶，而曝光后變成了可溶的，能得到與掩膜板遮光區相同的圖形。

負膠：反之

正膠與負膠優缺點：

根據光刻膠能形成圖形的最小光刻尺寸來分：

傳統光刻膠（正膠和負膠）

適用于紫外光（UV），I線365nm、H線405nm和G線436nm，關鍵尺寸在0.35um及其以上。

化學放大光刻膠（CAR）

適用于深紫外光（DUV），KrF準分子激光248nm和Arf準分子激光193nm。

⑤光刻膠的主要應用領域

模擬半導體、發光二極管（LED）、微電子機械系統（MEMS）、太陽能光伏、微流道和生物芯片、光電子器件/光子器件、封裝

⑥光刻工藝流程

⑦光刻質量要求

光刻的質量直接影響到器件的性能，成品率和可靠性。

1.圖形完整性好

2.尺寸準確

3.邊緣整齊，線條陡直

4.圖形內無針孔，圖形外無小島

5.硅片表面清潔，無底膜

6.圖形套刻準確

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