光刻膠也稱為光致抗蝕劑。凡是在能量束（光束、電子束、離子束等）的照射下，以交聯反應為主的光刻膠稱負性光刻膠，簡稱負膠。

凡是在能量束（光束、電子束、離子束等）的照射下，以降解反應為主的光刻膠稱為正性光刻膠，簡稱正膠。

對于光刻膠的涂敷和顯影，已下詳細為大家講解：

1、脫水烘烤

目的是去除硅片表面吸附的水分。

2、增粘處理

在烘烤后的硅片表面涂一層六甲基二硅亞胺，目的是增加硅片表面與光刻膠的粘附性。可采用蒸汽涂布法，也可采用旋涂法。

3、涂膠

    一般采用旋涂法。涂膠的關鍵是控制膠膜的厚度與膜后的均勻性。膠膜的厚度決定于膠的粘度和旋轉速度。

    4、前烘（軟烘）

    目的是去除膠中的大部分溶劑和穩定膠的感光特性。

    5、曝光

    6、顯影

    將曝光后的硅片放到顯影液中。對于負膠，通過顯影溶膠掉未曝光區的膠膜；對于正膠，通過顯影溶解掉曝光區的膠膜。幾乎所有的正膠都使用堿性顯影液。

顯影過程中膠膜會發生膨脹。正膠的膨脹可以忽略，而負膠的膨脹則可能使圖形尺寸發生變化。

顯影過程對溫度非常敏感。顯影過程可影響較的對比度，從而影響膠的剖面形狀。

7、后烘（硬烘、堅膜）

目的是使膠膜硬化，提高其在后續工序中的掩蔽性。

8、刻蝕

9、去膠