光刻膠與光刻技術

光刻技術也是利用光的能量，通過控制光照的區域使具有化學活性的液體化學物質快速發生光化學反應，并通過實現選擇性的腐蝕得到圖形的技術。為了實現選擇性的腐蝕，需要使用溶解性、熔融性或親合性在曝光后發生明顯的變化的材料。這類材料稱為光刻膠。

光刻膠具有光化學敏感性，可利用其進行光化學反應，經曝光、顯影等過程，將所需要的精細圖形從掩模版轉移至待加工的襯底上，然后進行蝕刻等工藝加工。光刻膠是微制造領域最為重要的材料，是半導體工業最核心的工藝材料。光刻膠在隨后的發展中被廣泛應用于光電信息產業的精細圖形線路的加工制作，是精細加工技術（MEMS）的關鍵性材料。

光刻膠在微流控芯片加工中的應用

     微流控分析芯片上微通道的制作，起源于制作半導體及集成電路芯片所廣泛使用的光刻和蝕刻技術。光刻蝕是用光膠、掩模和紫外光進行微制造，它的工藝成熟，已廣泛用于硅、玻璃和石英基片上制作微結構。

我國光刻膠行業發展現狀

2016全球光刻膠市場規模及結構（億美元）                                               2016我國光刻膠市場規模及增速（億元）

       整體來看，我國進口光刻膠占據國內87%的市場份額，自給率低。而國內光刻膠受益于半導體產業轉移及國內電子化學品的迅速發展，需求增速遠高于全球。

光刻膠發明后，首先被運用于軍事、國防設備中高性能集成電路、光學、傳感、通訊器材等的加工制作，因此發達國家以前一直將光刻膠作為戰略物資加以控制。1994年巴黎統籌委員會（對社會主義國家實行禁運和貿易限制的國際組織）解散前，光刻膠都被列為禁運產品。目前盡管放松了管制，但最尖端的光刻膠產品依然是發達國家管制對象。

目前中國需要的絕大部分光刻膠都依賴進口或由外資企業在中國設立的工廠提供。光刻膠作為印制電路板、LCD顯示器、半導體的上游材料不能實現國產化，嚴重制約了我國微電子產業的發展。

光刻膠專用化學品化學結構特殊、保密性強、用量少、純度要求高、生產工藝復雜、品質要求苛刻，生產、檢測、評價設備投資大， 技術需要長期積累。至今光刻膠專用化學品仍主要被光刻膠生產大國日本、歐美的專業性公司所壟斷。

生產光刻膠的原料光引發劑、光增感劑、光致產酸劑和光刻膠樹脂等專用化學品是體現光刻膠性能的最重要原料，和光刻膠一樣長期以來被國外公司壟斷。我國對光刻膠及專用化學品的研究起步較晚，國家非常重視，從“六五計劃”至今都一直將光刻膠列為國家高新技術計劃、國家重大科技項目。盡管取得了一定成果，但技術水平仍與國際水平相差較大，作為原料的主要專用化學品仍然需要依賴進口。